PMV65UN,215
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
PMV65UN,215 datasheet
-
МаркировкаPMV65UN,215
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors PMV65UN,215 Continuous Drain Current: 2.2 A Drain-source Breakdown Voltage: 20 V Factory Pack Quantity: 3000 Fall Time: 12 ns Forward Transconductance Gfs (max / Min): 8.7 S Gate Charge Qg: 3.9 nC Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23 Power Dissipation: 455 mW Resistance Drain-source Rds (on): 76 mOhms Rise Time: 18 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 21 ns RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Resistance Drain-Source RDS (on): 76 mOhms Forward Transconductance gFS (Max / Min): 8.7 S Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns
-
Количество страниц14 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024
10.06.2024